OAtekno.com – Samsung, yang baru-baru ini menggelar ajang ‘Samsung Foundry Forum‘ untuk Amerika Serikat mengungkapkan rencananya untuk mengembangkan semikonduktor dengan teknologi proses 1.4nm. Yang direncanakan akan diproduksi secara massal pada tahun 2027 mendatang.
Pada acara tersebut, perusahaan mempresentasikan roadmap untuk semikonduktor yang semakin canggih ini. Setelah berhasil mengembangkan dan membuat semikonduktor 3nm, Samsung akan meningkatkan teknologi berbasis Gate All-Around (GAA) dan memperkenalkan proses 2nm pada tahun 2025.
Kebutuhan untuk mempercepat laju pengembangan semikonduktor dalam proses yang semakin menyusut ini datang dari kebutuhan pasar semikonduktor yang berperforma tinggi namun tetap berdaya rendah, seperti yang bisa digunakan untuk HPC (High Performace Computing), otomotif, 5G, dan Internet of Things (IoT).
Melalui acara ini, Samsung akan memperkuat dukungannya untuk proses berbasis GAA 3nm untuk HPC dan perangkat seluler, sambil lebih mendiversifikasi proses 4nm-nya, terutama untuk HPC dan aplikasi otomotif. Selain itu, perusahaan berencana untuk meningkatkan kapasitas produksinya untuk node lanjutan lebih dari tiga kali pada tahun 2027 dibandingkan tahun ini.
